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BC857CLT1
0.231
BC857CLT1 数据手册 (7 页)
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BC857CLT1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-45.0 V
额定电流
-100 mA
封装
SOT-23-3
极性
PNP
功耗
225 mW
击穿电压(集电极-发射极)
45 V
集电极最大允许电流
0.1A
最小电流放大倍数
420 @2mA, 5V
额定功率(Max)
225 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
300 mW

BC857CLT1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
2.9 mm
宽度
1.3 mm
高度
0.94 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

BC857CLT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.08 MByte
ON Semiconductor(安森美)
31 页 / 0.08 MByte

BC857 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
小信号PNP晶体管 SMALL SIGNAL PNP TRANSISTORS
CJ(长电科技)
三极管
NXP(恩智浦)
PNP通用晶体管 PNP general purpose transistors
Multicomp
MULTICOMP  BC857  单晶体管 双极, PNP, -45 V, 100 MHz, 250 mW, -100 mA, 125 hFE
Infineon(英飞凌)
PNP硅晶体管自动对焦 PNP Silicon AF Transistors
ON Semiconductor(安森美)
UTC(友顺)
Philips(飞利浦)
Nexperia(安世)
小信号 PNP 晶体管,Nexperia### 双极晶体管,Nexperia
Fairchild(飞兆/仙童)
PNP外延硅晶体管 PNP Epitaxial Silicon Transistor
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