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Datasheet 搜索 > 双极性晶体管 > Nexperia(安世) > BC857CW,115 Datasheet 文档
BC857CW,115
0.009
BC857CW,115 数据手册 (11 页)
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BC857CW,115 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-323-3
针脚数
3 Position
功耗
200 mW
增益频宽积
100 MHz
击穿电压(集电极-发射极)
45 V
最小电流放大倍数
420 @2mA, 5V
最大电流放大倍数
420 @2mA, 5V
额定功率(Max)
200 mW
直流电流增益(hFE)
420
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
200 mW

BC857CW,115 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2.2 mm
宽度
1.35 mm
高度
1 mm
工作温度
150℃ (TJ)

BC857CW,115 数据手册

Nexperia(安世)
11 页 / 0.36 MByte
Nexperia(安世)
206 页 / 0.21 MByte
Nexperia(安世)
43 页 / 0.72 MByte
Nexperia(安世)
72 页 / 3.63 MByte

BC857 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
小信号PNP晶体管 SMALL SIGNAL PNP TRANSISTORS
CJ(长电科技)
三极管
NXP(恩智浦)
PNP通用晶体管 PNP general purpose transistors
Multicomp
MULTICOMP  BC857  单晶体管 双极, PNP, -45 V, 100 MHz, 250 mW, -100 mA, 125 hFE
Infineon(英飞凌)
PNP硅晶体管自动对焦 PNP Silicon AF Transistors
ON Semiconductor(安森美)
UTC(友顺)
Philips(飞利浦)
Nexperia(安世)
小信号 PNP 晶体管,Nexperia### 双极晶体管,Nexperia
Fairchild(飞兆/仙童)
PNP外延硅晶体管 PNP Epitaxial Silicon Transistor
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