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BC858CLT1G
0.01
BC858CLT1G 数据手册 (8 页)
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BC858CLT1G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-30.0 V
额定电流
-100 mA
封装
SOT-23
极性
PNP, P-Channel
功耗
300mW
击穿电压(集电极-发射极)
30.0 V
集电极最大允许电流
0.1A

BC858CLT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT)

BC858CLT1G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.19 MByte
ON Semiconductor(安森美)
22 页 / 1.31 MByte
ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.17 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.14 MByte

BC858CLT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
通用晶体管( PNP硅) General Purpose Transistors(PNP Silicon)
Motorola(摩托罗拉)
Leshan Radio(乐山无线电)
Micro Commercial Components(美微科)
Jiangsu Changjiang Electronics Technology
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  BC858CLT1G  单晶体管 双极, 通用, PNP, -30 V, 100 MHz, 225 mW, -100 mA, 100 hFE
Leshan Radio(乐山无线电)
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