BC858W 数据手册 - NXP（恩智浦）

●集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| −30V

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●集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| −30V

●集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| −100mA/-0.1A

●截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 100MHz

●直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 420~800

●管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| -250mV/-0.25V

●耗散功率PcPoWer Dissipation| 200mW/0.2W

●Description & Applications| PNP general purpose transistors FEATURES • Low current (max. 100 mA) • Low voltage (max. 65 V). APPLICATIONS • General purpose switching and amplification.

●描述与应用| PNP通用晶体管 特点 •低电流（最大100 mA） •低电压（最大65 V）。 应用 •通用开关和放大。