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BC859BMTF
0.02
BC859BMTF 数据手册 (5 页)
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BC859BMTF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
150 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-30.0 V
额定电流
-100 mA
封装
SOT-23-3
极性
PNP
功耗
0.31 W
击穿电压(集电极-发射极)
30 V
集电极最大允许电流
0.1A
最小电流放大倍数
200 @2mA, 5V
最大电流放大倍数
800
额定功率(Max)
310 mW
耗散功率(Max)
310 mW

BC859BMTF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
150℃ (TJ)

BC859BMTF 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
5 页 / 0.14 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
7 页 / 0.21 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.04 MByte

BC859 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
开关和放大器应用 Switching and Amplifier Applications
Vishay Semiconductor(威世)
小信号晶体管( PNP ) Small Signal Transistors (PNP)
Rectron Semiconductor
Nexperia(安世)
BC859 系列 30 V 100 mA 表面贴装 PNP 通用 晶体管 - SOT-23-3
NXP(恩智浦)
PNP 晶体管,NXP### 双极性晶体管,NXP Semiconductors
Nexperia(安世)
小信号 PNP 晶体管,Nexperia### 双极晶体管,Nexperia
Nexperia(安世)
Nexperia BC859CW,115 , PNP 晶体管, 100 mA, Vce=30 V, HFE:420, 100 MHz, 3引脚 UMT封装
NXP(恩智浦)
NXP  BC859C,215  单晶体管 双极, PNP, -30 V, 100 MHz, 250 mW, -100 mA, 420 hFE
Infineon(英飞凌)
PNP 晶体管,Infineon### 双极晶体管,Infineon
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