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BC859C
0.015
BC859C 数据手册 (11 页)
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BC859C 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23
功耗
250 mW
增益频宽积
100 MHz
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
250 mW

BC859C 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon

BC859C 数据手册

Diotec Semiconductor
11 页 / 0.84 MByte
Diotec Semiconductor
8 页 / 0.31 MByte
Diotec Semiconductor
8 页 / 0.22 MByte

BC859 数据手册

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小信号晶体管( PNP ) Small Signal Transistors (PNP)
Rectron Semiconductor
Nexperia(安世)
BC859 系列 30 V 100 mA 表面贴装 PNP 通用 晶体管 - SOT-23-3
NXP(恩智浦)
PNP 晶体管,NXP### 双极性晶体管,NXP Semiconductors
Nexperia(安世)
小信号 PNP 晶体管,Nexperia### 双极晶体管,Nexperia
Nexperia(安世)
Nexperia BC859CW,115 , PNP 晶体管, 100 mA, Vce=30 V, HFE:420, 100 MHz, 3引脚 UMT封装
NXP(恩智浦)
NXP  BC859C,215  单晶体管 双极, PNP, -30 V, 100 MHz, 250 mW, -100 mA, 420 hFE
Infineon(英飞凌)
PNP 晶体管,Infineon### 双极晶体管,Infineon
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