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BC859C,215
0.014
BC859C,215 数据手册 (9 页)
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BC859C,215 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
100 MHz
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23-3
额定功率
0.25 W
针脚数
3 Position
功耗
250 mW
增益频宽积
100 MHz
击穿电压(集电极-发射极)
30 V
最小电流放大倍数
420 @2mA, 5V
最大电流放大倍数
420 @2mA, 5V
额定功率(Max)
250 mW
直流电流增益(hFE)
420
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
65 ℃
耗散功率(Max)
250 mW

BC859C,215 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
3 mm
宽度
1.4 mm
高度
1 mm
工作温度
150℃ (TJ)

BC859C,215 数据手册

Nexperia(安世)
9 页 / 0.34 MByte
Nexperia(安世)
206 页 / 0.21 MByte
Nexperia(安世)
72 页 / 3.63 MByte

BC859 数据手册

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小信号晶体管( PNP ) Small Signal Transistors (PNP)
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Nexperia(安世)
BC859 系列 30 V 100 mA 表面贴装 PNP 通用 晶体管 - SOT-23-3
NXP(恩智浦)
PNP 晶体管,NXP### 双极性晶体管,NXP Semiconductors
Nexperia(安世)
小信号 PNP 晶体管,Nexperia### 双极晶体管,Nexperia
Nexperia(安世)
Nexperia BC859CW,115 , PNP 晶体管, 100 mA, Vce=30 V, HFE:420, 100 MHz, 3引脚 UMT封装
NXP(恩智浦)
NXP  BC859C,215  单晶体管 双极, PNP, -30 V, 100 MHz, 250 mW, -100 mA, 420 hFE
Infineon(英飞凌)
PNP 晶体管,Infineon### 双极晶体管,Infineon
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