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BCP56-10T1G
0.09
BCP56-10T1G 数据手册 (9 页)
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BCP56-10T1G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
130 MHz
引脚数
4 Pin
额定电压(DC)
80.0 V
额定电流
1.00 A
封装
TO-261-4
额定功率
1.5 W
针脚数
4 Position
极性
NPN
功耗
1.5 W
击穿电压(集电极-发射极)
80 V
集电极最大允许电流
1A
最小电流放大倍数
63 @150mA, 2V
额定功率(Max)
1.5 W
直流电流增益(hFE)
63
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
1500 mW

BCP56-10T1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
6.7 mm
宽度
3.7 mm
高度
1.65 mm
工作温度
-65℃ ~ 150℃ (TJ)

BCP56-10T1G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
9 页 / 0.14 MByte
ON Semiconductor(安森美)
36 页 / 0.15 MByte
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.06 MByte
ON Semiconductor(安森美)
9 页 / 0.53 MByte

BCP5610T1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
NPN硅外延型晶体管 NPN Silicon Epitaxial Transistor
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  BCP56-10T1G  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 130 MHz, 1.5 W, 1 A, 63 hFE
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