BCR135S 数据手册 - Infineon（英飞凌）

●集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO)| 50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO)| 50V 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC)| 100mA Q1基极输入电阻R1 Input Resistance(R1)| 10KΩ/Ohm Q1基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)| 47KΩ/Ohm Q1电阻比(R1/R2) Q1 Resistance Ratio| 0.21 Q2基极输入电阻R1 Input Resistance(R1)| 10KΩ/Ohm Q2基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)| 47KΩ/Ohm Q2电阻比(R1/R2) Q2 Resistance Ratio| 0.21 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE)| 70 截止频率fT Transtion Frequency(fT)| 150MHz 耗散功率Pc Power Dissipation| 250mW/0.25W Description & Applications| Features •NPN Silicon Digital Transistor •Switching circuit, inverter, interface circuit,driver circuit •Built in bias resistor (R1=10k , R2=47k ) •For 6-PIN packages: two (galvanic) internal isolated transistors with good matching in one package 描述与应用| 特点 •NPN硅数字晶体管 •开关电路，逆变器，接口电路，驱动电路 •内置偏置电阻（R1=10K，R2=47K） •6-PIN封装：两个（电流）的内部隔离晶体管具有良好的匹配在一个封装中