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BCR141E6433HTMA1
0.02
BCR141E6433HTMA1 数据手册 (11 页)
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BCR141E6433HTMA1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
50.0 V
额定电流
100 mA
封装
SOT-23-3
极性
NPN
功耗
250 mW
击穿电压(集电极-发射极)
50 V
集电极最大允许电流
100mA
最小电流放大倍数
50 @5mA, 5V
额定功率(Max)
250 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
增益带宽
130 MHz
耗散功率(Max)
250 mW

BCR141E6433HTMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not For New Designs
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-65℃ ~ 150℃

BCR141E6433HTMA1 数据手册

Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.84 MByte
Infineon(英飞凌)
13 页 / 0.15 MByte
Infineon(英飞凌)
10 页 / 0.48 MByte

BCR141E6433 数据手册

Infineon(英飞凌)
双极晶体管 - 预偏置 NPN Silicon Digital TRANSISTOR
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
1个NPN-预偏置 100mA 50V
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