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BCR141F
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BCR141F 数据手册 (12 页)
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BCR141F 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
PG-TSFP-3
极性
NPN
击穿电压(集电极-发射极)
50 V
集电极最大允许电流
100mA
耗散功率(Max)
250 mW

BCR141F 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tape & Reel (TR)

BCR141F 数据手册

Infineon(英飞凌)
12 页 / 0.23 MByte
Infineon(英飞凌)
6 页 / 0.53 MByte
Infineon(英飞凌)
10 页 / 0.48 MByte

BCR141 数据手册

Infineon(英飞凌)
InfineonInfineon 的一系列双极性结点晶体,配有集成电阻器,允许直接从数字来源驱动,无需其他元件。 双电阻器设备具有串行输入电阻器和连接晶体管基座与发射器的电阻器。### 数字晶体管,Infineon配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。
Siemens Semiconductor(西门子)
TT Electronics/BI
Infineon(英飞凌)
NPN硅晶体管数字 NPN Silicon Digital Transistor
Infineon(英飞凌)
单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon(英飞凌)
BCR141W 带阻NPN三极管 50V 100mA/0.1A 22k 22k SOT-323/SC-70 marking/标记 WD 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路
Infineon(英飞凌)
双电阻器数字晶体管,InfineonInfineon 的一系列双极性结点晶体,配有集成电阻器,允许直接从数字来源驱动,无需其他元件。 双电阻器设备具有串行输入电阻器和连接晶体管基座与发射器的电阻器。### 数字晶体管,Infineon配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。
Infineon(英飞凌)
Infineon### 数字晶体管,Infineon配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。
Infineon(英飞凌)
NPN硅晶体管数字 NPN Silicon Digital Transistor
Infineon(英飞凌)
Infineon BCR141SH6327XTSA1 双 NPN 数字晶体管, Vce=50 V, 22 kΩ, 电阻比:1, 6引脚 SOT-363 (SC-88)封装
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