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BCR35PNE6327
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BCR35PNE6327 数据手册 (7 页)
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BCR35PNE6327 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
额定电压(DC)
50.0 V
额定电流
100 mA
封装
SOT-363-6
极性
NPN+PNP
击穿电压(集电极-发射极)
50 V
集电极最大允许电流
100mA
耗散功率(Max)
250 mW

BCR35PNE6327 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tape & Reel (TR)

BCR35PNE6327 数据手册

Infineon(英飞凌)
7 页 / 0.51 MByte

BCR35 数据手册

Infineon(英飞凌)
NPN / PNP硅数字Tansistor阵列(开关电路,逆变器,接口电路,驱动电路) NPN/PNP Silicon Digital Tansistor Array (Switching circuit, inverter, interface circuit, drive circuit)
Infineon(英飞凌)
Infineon BCR35PNH6327XTSA1 双 NPN + PNP 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 10 kΩ, 电阻比:0.21, 6引脚
Infineon(英飞凌)
NPN / PNP硅数字晶体管阵列 NPN/PNP Silicon Digital Transistor Array
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Infineon BCR35PNH6433XTMA1 双 NPN + PNP 数字晶体管, Vce=50 V, 10 kΩ, 电阻比:0.21, 6引脚
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
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