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BCR48PN
0.037
BCR48PN 数据手册 (8 页)
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BCR48PN 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
SOT-363
极性
NPN+PNP
击穿电压(集电极-发射极)
50 V
集电极最大允许电流
70mA/100mA

BCR48PN 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
End of Life

BCR48PN 数据手册

Infineon(英飞凌)
8 页 / 0.53 MByte
Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.53 MByte
Infineon(英飞凌)
6 页 / 0.06 MByte

BCR48 数据手册

Infineon(英飞凌)
NPN / PNP硅数字晶体管阵列 NPN/PNP Silicon Digital Transistor Array
Infineon(英飞凌)
BCR48PN NPN+PNP复合带阻尼三极管 50V/-50V 70mA/-100mA 70 250mW/0.25W SOT-363/SC-88/SC70-6 标记W1 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路
Infineon(英飞凌)
单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon(英飞凌)
Infineon### 数字晶体管,Infineon配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。
Infineon(英飞凌)
1个NPN,1个PNP-预偏置 100mA 70mA 50V
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
双极晶体管 - 预偏置 AF DIGITAL TRANSISTORS
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