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BCR512E6327HTSA1
0.082
BCR512E6327HTSA1 数据手册 (6 页)
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BCR512E6327HTSA1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
50.0 V
额定电流
500 mA
封装
SOT-23-3
极性
NPN
功耗
0.33 W
击穿电压(集电极-发射极)
50 V
集电极最大允许电流
500mA
最小电流放大倍数
60 @50mA, 5V
额定功率(Max)
330 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
增益带宽
100 MHz
耗散功率(Max)
330 mW

BCR512E6327HTSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not Recommended for New Designs
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2.9 mm
宽度
1.3 mm
高度
0.9 mm

BCR512E6327HTSA1 数据手册

Infineon(英飞凌)
6 页 / 0.51 MByte
Infineon(英飞凌)
61 页 / 0.26 MByte

BCR512E6327 数据手册

Infineon(英飞凌)
NPN Silicon Digital TRANSISTOR
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Infineon BCR512E6327HTSA1 NPN 数字晶体管, 500 mA, Vce=50 V, 4.7 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 SOT-23封装
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