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BCV49E6327
0.12
BCV49E6327 数据手册 (7 页)
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BCV49E6327 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
4 Pin
额定电压(DC)
60.0 V
额定电流
500 mA
封装
SOT-89
极性
NPN
击穿电压(集电极-发射极)
60 V
集电极最大允许电流
0.5A
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
增益带宽
150 MHz
耗散功率(Max)
1000 mW

BCV49E6327 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tape & Reel (TR)

BCV49E6327 数据手册

Infineon(英飞凌)
7 页 / 0.5 MByte
Infineon(英飞凌)
8 页 / 0.06 MByte

BCV49 数据手册

NXP(恩智浦)
BCV49 达林顿NPN 80V 0.5A HEF=2000~10000 SOT89 代码 EG
Infineon(英飞凌)
BCV49 NPN 500mA/0.5A 60V SOT-89/SC-62 markign/标记EG 开关 功率放大
Nexperia(安世)
Diodes(美台)
Siemens Semiconductor(西门子)
Philips(飞利浦)
Fenghua(风华高科)
Diodes(美台)
DIODES INC.  BCV49TA  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 60 V, 170 MHz, 1 W, 500 mA, 10000 hFE
Nexperia(安世)
复合晶体管,Nexperia### 双极晶体管,Nexperia
Nexperia(安世)
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS DARLINGTON
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