BCW29 数据手册 - NXP（恩智浦）

●集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| −32V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| −32V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| −100mA/-0.1A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 100MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 120~260 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| −150mV/-0.15V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 250mW/0.25W Description & Applications| PNP general purpose transistors FEATURES • Low current (max. 100 mA) • Low voltage (max. 32 V). APPLICATIONS • General purpose switching and amplification 描述与应用| PNP通用晶体管 特点 •低电流（最大100 mA） •低电压（最大32 V）。 应用 •通用开关和放大