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BCW66GLT1G
0.016
BCW66GLT1G 数据手册 (7 页)
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BCW66GLT1G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
100 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
45.0 V
额定电流
800 mA
封装
SOT-23-3
针脚数
3 Position
极性
NPN
功耗
330 mW
击穿电压(集电极-发射极)
45 V
集电极最大允许电流
0.8A
最小电流放大倍数
160 @100mA, 1V
额定功率(Max)
300 mW
直流电流增益(hFE)
60
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
300 mW

BCW66GLT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

BCW66GLT1G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.37 MByte
ON Semiconductor(安森美)
14 页 / 0.05 MByte
ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.17 MByte
ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.07 MByte

BCW66GLT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  BCW66GLT1G  单晶体管 双极, NPN, 45 V, 100 MHz, 225 mW, 800 mA, 160 hFE
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