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BCW66HTA
0.038
BCW66HTA 数据手册 (2 页)
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BCW66HTA 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
100 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
45.0 V
额定电流
800 mA
封装
SOT-23-3
额定功率
0.3333333333333333 W
针脚数
3 Position
极性
NPN
功耗
330 mW
击穿电压(集电极-发射极)
45 V
集电极最大允许电流
0.8A
最小电流放大倍数
250 @100mA, 1V
最大电流放大倍数
180 @10mA, 1V
额定功率(Max)
330 mW
直流电流增益(hFE)
350
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
330 mW

BCW66HTA 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

BCW66HTA 数据手册

Diodes(美台)
2 页 / 0.03 MByte
Diodes(美台)
199 页 / 0.86 MByte
Diodes(美台)
7 页 / 0.07 MByte
Diodes(美台)
1 页 / 0.16 MByte

BCW66 数据手册

CJ(长电科技)
BCW66 H档(250~630) 编带
Infineon(英飞凌)
BCW66 NPN三极管 75V 800mA/0.8A 170MHz 100~630 700mV/0.7V SOT-23/SC-59 marking/标记 EF 通用放大器
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  BCW66GLT1G  单晶体管 双极, NPN, 45 V, 100 MHz, 225 mW, 800 mA, 160 hFE
Diodes(美台)
BCW66HTA 编带
ON Semiconductor(安森美)
PNP 晶体管,超过 1A,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BCW66G  单晶体管 双极, NPN, 45 V, 100 MHz, 350 mW, 1 A, 160 hFE
Infineon(英飞凌)
Infineon BCW66KHE6327HTSA1 , NPN 晶体管, 800mA, Vce=45 V, HFE:40, 170 MHz, 3引脚 SOT-23封装
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
BCW66F NPN三极管 75V 800mA/0.8A 170MHz 250~630 700mV/0.7V SOT-23/SC-59 marking/标记 SEF
Nexperia(安世)
单晶体管 双极, NPN, 45 V, 100 MHz, 250 mW, 800 mA, 160 hFE
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