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BCW66KHE6327HTSA1
0.1
BCW66KHE6327HTSA1 数据手册 (7 页)
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BCW66KHE6327HTSA1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
170 MHz
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23-3
极性
NPN
功耗
500 mW
击穿电压(集电极-发射极)
45 V
集电极最大允许电流
0.8A
最小电流放大倍数
250 @100mA, 1V
最大电流放大倍数
630
额定功率(Max)
500 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
500 mW

BCW66KHE6327HTSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not Recommended for New Designs
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
2.9 mm
宽度
1.3 mm
高度
0.9 mm
工作温度
150℃ (TJ)

BCW66KHE6327HTSA1 数据手册

Infineon(英飞凌)
7 页 / 0.51 MByte
Infineon(英飞凌)
34 页 / 0.51 MByte
Infineon(英飞凌)
7 页 / 0.07 MByte

BCW66KHE6327 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 45.0 V 100 mA
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Infineon BCW66KHE6327HTSA1 , NPN 晶体管, 800mA, Vce=45 V, HFE:40, 170 MHz, 3引脚 SOT-23封装
Infineon(英飞凌)
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