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BCW68G
0.021
BCW68G 数据手册 (21 页)
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BCW68G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23-3
针脚数
3 Position
功耗
350 mW
击穿电压(集电极-发射极)
45 V
最小电流放大倍数
160 @100mA, 1V
额定功率(Max)
350 mW
直流电流增益(hFE)
160
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
350 mW

BCW68G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
End of Life
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2.92 mm
宽度
1.3 mm
高度
0.93 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

BCW68G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
21 页 / 0.42 MByte
ON Semiconductor(安森美)
14 页 / 0.63 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.04 MByte
ON Semiconductor(安森美)
4 页 / 0.5 MByte

BCW68 数据手册

CJ(长电科技)
三极管(晶体管) BCW68 DF SOT-23 100-250
Infineon(英飞凌)
BCW68 PNP三极管 -60V -800mA/-0.8A 200MHz 160~400 -700mV/-0.7V SOT-23/SC-59 marking/标记 DG 高电流增益
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  BCW68GLT1G  单晶体管 双极, PNP, -45 V, 100 MHz, 225 mW, -800 mA, 60 hFE
Infineon(英飞凌)
通用 PNP 晶体管,Infineon### 双极晶体管,Infineon
ON Semiconductor(安森美)
NPN 晶体管,最大 1A,ON Semiconductor### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管
Infineon(英飞凌)
Diodes(美台)
BCW68H 系列 PNP 0.8 A 45 V 表面贴装 硅 中等功率 晶体管 - SOT-23
Fairchild(飞兆/仙童)
PNP 晶体管,40 至 50V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor BCW68G , PNP 晶体管, 800mA, Vce=45 V, HFE:160, 100 MHz, 3引脚 SOT-23封装
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