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BCW68GLT1G
0.05
BCW68GLT1G 数据手册 (5 页)
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BCW68GLT1G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
100 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-45.0 V
额定电流
-800 mA
封装
SOT-23-3
针脚数
3 Position
极性
PNP
功耗
225 mW
增益频宽积
100 MHz
击穿电压(集电极-发射极)
45 V
集电极最大允许电流
0.8A
最小电流放大倍数
120 @10mA, 1V
额定功率(Max)
225 mW
直流电流增益(hFE)
60
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
300 mW

BCW68GLT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
3.04 mm
宽度
2.64 mm
高度
1.01 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

BCW68GLT1G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.06 MByte
ON Semiconductor(安森美)
14 页 / 0.05 MByte
ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.17 MByte
ON Semiconductor(安森美)
4 页 / 0.08 MByte

BCW68GLT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
通用晶体管( PNP硅) General Purpose Transistors(PNP Silicon)
Leshan Radio(乐山无线电)
BCW68GLT1 PNP三极管 -60V -800mA/-0.8A 100MHz 120~400 -1.5V SOT-23/SC-59 marking/标记 DG
Motorola(摩托罗拉)
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  BCW68GLT1G  单晶体管 双极, PNP, -45 V, 100 MHz, 225 mW, -800 mA, 60 hFE
Leshan Radio(乐山无线电)
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