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BD135G
0.316
BD135G 数据手册 (4 页)
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BD135G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
45.0 V
额定电流
1.50 A
封装
TO-126-3
针脚数
3 Position
极性
NPN
功耗
1.25 W
击穿电压(集电极-发射极)
45 V
热阻
10℃/W (RθJC)
集电极最大允许电流
1.5A
最小电流放大倍数
40 @150mA, 2V
额定功率(Max)
1.25 W
直流电流增益(hFE)
250
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
1250 mW

BD135G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Bulk
材质
Silicon
长度
7.8 mm
宽度
2.66 mm
高度
11.04 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

BD135G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
4 页 / 0.07 MByte
ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.23 MByte
ON Semiconductor(安森美)
4 页 / 0.07 MByte
ON Semiconductor(安森美)
3 页 / 0.1 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.13 MByte

BD135 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
NPN 晶体管,STMicroelectronics ### 双极晶体管,STMicroelectronicsSTMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP 双极性晶体管,包括通用、达林顿、功率和高电压设备,采用表面安装和通孔封装。
ON Semiconductor(安森美)
塑料中功率型硅NPN晶体管 Plastic Medium Power Silicon NPN Transistor
CJ(长电科技)
三极管(晶体管) BD135 TO-126 100-250
NXP(恩智浦)
NPN功率晶体管 NPN power transistors
Multicomp
MULTICOMP  BD135  单晶体管 双极, 通用, NPN, 45 V, 12.5 W, 1 A, 40 hFE
Philips(飞利浦)
Motorola(摩托罗拉)
Fairchild(飞兆/仙童)
中功率线性和开关应用 Medium Power Linear and Switching Applications
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