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BD137G
0.316
BD137G 数据手册 (5 页)
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BD137G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
频率
50 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
60.0 V
额定电流
6.00 A
封装
TO-126-3
针脚数
3 Position
极性
NPN
功耗
65 W
击穿电压(集电极-发射极)
60 V
集电极最大允许电流
1.5A
最小电流放大倍数
40 @150mA, 2V
额定功率(Max)
1.25 W
直流电流增益(hFE)
40
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
1.25 W

BD137G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Bulk
材质
Silicon
长度
7.74 mm
宽度
2.66 mm
高度
11.04 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

BD137G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.13 MByte
ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.23 MByte

BD137 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
功率晶体管NPN硅 POWER TRANSISTORS NPN SILICON
CJ(长电科技)
三极管(晶体管) BD137 TO-126 100-250
NXP(恩智浦)
NPN功率晶体管 NPN power transistors
Fairchild(飞兆/仙童)
中功率线性和开关应用 Medium Power Linear and Switching Applications
Yageo(国巨)
Motorola(摩托罗拉)
Central Semiconductor
Continental Device
Stackpole Electronics
ST Microelectronics(意法半导体)
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