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BD139-10
0.152
BD139-10 数据手册 (9 页)
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BD139-10 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-126-3
针脚数
3 Position
极性
NPN
功耗
1.25 W
击穿电压(集电极-发射极)
80 V
最小电流放大倍数
40 @150mA, 2V
额定功率(Max)
1.25 W
直流电流增益(hFE)
40
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
1250 mW

BD139-10 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
材质
Silicon
长度
7.8 mm
宽度
2.7 mm
高度
10.8 mm
工作温度
150℃ (TJ)

BD139-10 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
9 页 / 0.14 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
10 页 / 0.14 MByte
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