￥ 0.131

BD159 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

双极性晶体管

封装:

TO-126-3

描述:

塑料中功率NPN硅晶体管 Plastic Medium Power NPN Silicon Transistor

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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BD159 数据手册 (3 页)

封装尺寸在3 页

BD159 数据手册 (3 页)

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BD159 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

额定电压(DC)

350 V

额定电流

500 mA

封装

TO-126-3

极性

NPN

功耗

20 W

击穿电压(集电极-发射极)

350 V

集电极最大允许电流

0.5A

最小电流放大倍数

最大电流放大倍数

240

额定功率(Max)

20 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

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BD159 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Bulk

长度

7.74 mm

宽度

2.66 mm

高度

11.04 mm

工作温度

-65℃ ~ 150℃ (TJ)

最小包装数量

500

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BD159 符合标准

BD159 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

3 页 / 0.05 MByte

BD159 产品设计参考手册

ON Semiconductor（安森美）

20 页 / 0.26 MByte

BD159 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

144 页 / 1.03 MByte

BD159 开发手册

ON Semiconductor（安森美）

3 页 / 0.07 MByte

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