￥ 0.37

BD180G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

双极性晶体管

封装:

TO-126-3

描述:

ON SEMICONDUCTOR BD180G 单晶体管双极, 通用, PNP, -80 V, 3 MHz, 30 W, 3 A, 40 hFE

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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BD180G 数据手册 (6 页)

封装尺寸在5 页

BD180G 数据手册 (6 页)

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BD180G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

频率

3 MHz

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

-80.0 V

额定电流

-3.00 A

封装

TO-126-3

额定功率

30 W

针脚数

3 Position

极性

PNP

功耗

30 W

击穿电压(集电极-发射极)

80 V

集电极最大允许电流

最小电流放大倍数

40 @150mA, 2V

最大电流放大倍数

250

额定功率(Max)

30 W

直流电流增益(hFE)

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

30000 mW

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BD180G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Bulk

材质

Silicon

长度

7.74 mm

宽度

2.66 mm

高度

11.04 mm

工作温度

-65℃ ~ 150℃

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BD180G 符合标准

BD180G 海关信息

BD180G 概述

BD180G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

6 页 / 0.18 MByte

BD180G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

8 页 / 0.23 MByte

BD180G 产品设计图

ON Semiconductor（安森美）

2 页 / 0.03 MByte

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