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BD237G
0.379
BD237G 数据手册 (5 页)
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BD237G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
频率
3 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
80.0 V
额定电流
2.00 A
封装
TO-126-3
针脚数
3 Position
极性
NPN
功耗
25 W
击穿电压(集电极-发射极)
80 V
集电极最大允许电流
2A
最小电流放大倍数
25 @1A, 2V
额定功率(Max)
25 W
直流电流增益(hFE)
3
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
25000 mW

BD237G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Bulk
工作温度
-55℃ ~ 150℃

BD237G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.08 MByte
ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.23 MByte
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.03 MByte

BD237 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  BD237  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 3 MHz, 25 W, 2 A, 40 hFE
CJ(长电科技)
BD237 袋装
ON Semiconductor(安森美)
功率晶体管NPN硅 POWER TRANSISTORS NPN SILICON
Multicomp
MULTICOMP  BD237  单晶体管 双极, 通用, NPN, 80 V, 3 MHz, 25 W, 2 A, 40 hFE
Philips(飞利浦)
Motorola(摩托罗拉)
Fairchild(飞兆/仙童)
中功率线性和开关应用 Medium Power Linear and Switching Applications
Central Semiconductor
Micro Commercial Components(美微科)
Continental Device
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