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BD239C
0.227
BD239C 数据手册 (9 页)
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BD239C 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
频率
3 MHz
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
针脚数
3 Position
极性
NPN
功耗
2 W
击穿电压(集电极-发射极)
100 V
最小电流放大倍数
15 @1A, 4V
额定功率(Max)
2 W
直流电流增益(hFE)
40
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
2000 mW

BD239C 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
材质
Silicon
长度
10.4 mm
宽度
4.6 mm
高度
9.15 mm
工作温度
150℃ (TJ)

BD239C 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
9 页 / 0.24 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
20 页 / 2.6 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
25 页 / 0.25 MByte

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