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BD436
0.07
BD436 数据手册 (4 页)
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BD436 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
频率
3 MHz
引脚数
3 Pin
封装
TO-126-3
针脚数
3 Position
极性
PNP
功耗
36 W
击穿电压(集电极-发射极)
32 V
最小电流放大倍数
40 @10mA, 5V
额定功率(Max)
36 W
直流电流增益(hFE)
140
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
36000 mW

BD436 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not Recommended for New Designs
包装方式
Rail, Tube
材质
Silicon
工作温度
150℃ (TJ)

BD436 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
4 页 / 0.04 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
7 页 / 0.14 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
4 页 / 0.07 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
6 页 / 0.01 MByte
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