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BD441G
0.369
BD441G 数据手册 (5 页)
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BD441G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
频率
3 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
80.0 V
额定电流
4.00 A
封装
TO-225-3
针脚数
3 Position
极性
NPN
功耗
36 W
增益频宽积
3 MHz
击穿电压(集电极-发射极)
80 V
集电极最大允许电流
4A
最小电流放大倍数
40 @500mA, 1V
额定功率(Max)
36 W
直流电流增益(hFE)
15
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
55 ℃
耗散功率(Max)
36000 mW

BD441G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Bulk
材质
Silicon
长度
7.74 mm
宽度
2.66 mm
高度
11.04 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

BD441G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.07 MByte
ON Semiconductor(安森美)
50 页 / 0.83 MByte
ON Semiconductor(安森美)
4 页 / 0.07 MByte
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.16 MByte

BD441 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
NPN功率晶体管 NPN power transistor
ON Semiconductor(安森美)
塑料中功率型硅NPN晶体管 Plastic Medium Power Silicon NPN Transistor
Multicomp
MULTICOMP  BD441  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 3 MHz, 36 W, 4 A, 15 hFE
CJ(长电科技)
三极管(晶体管) BD441 TO-126
Fairchild(飞兆/仙童)
Central Semiconductor
Continental Device
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