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BD533 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

双极性晶体管

封装:

TO-220-3

描述:

互补硅功率晶体管 COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

BD533 数据手册 (11 页)

封装尺寸在8 页 9 页

BD533 数据手册 (11 页)

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BD533 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

额定电压(DC)

45.0 V

额定电流

8.00 A

封装

TO-220-3

极性

NPN

功耗

50 W

击穿电压(集电极-发射极)

45 V

集电极最大允许电流

最小电流放大倍数

25 @2A, 2V

额定功率(Max)

50 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

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BD533 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tube

长度

10.4 mm

宽度

4.6 mm

高度

9.15 mm

工作温度

150℃ (TJ)

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BD533 符合标准

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ST Microelectronics（意法半导体）

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