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BD679G
0.188
BD679G 数据手册 (4 页)
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BD679G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
80.0 V
额定电流
4.00 A
封装
TO-126-3
无卤素状态
Halogen Free
针脚数
3 Position
极性
NPN
功耗
40 W
击穿电压(集电极-发射极)
80 V
集电极最大允许电流
4A
最小电流放大倍数
750 @1.5A, 3V
最大电流放大倍数
750 @1.5A, 3V
额定功率(Max)
40 W
直流电流增益(hFE)
750
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
40000 mW

BD679G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Bulk
长度
7.74 mm
宽度
2.66 mm
高度
11.04 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

BD679G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
4 页 / 0.09 MByte
ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.23 MByte
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.03 MByte
ON Semiconductor(安森美)
4 页 / 0.07 MByte
ON Semiconductor(安森美)
11 页 / 1.83 MByte

BD679 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  BD679  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 60 V, 40 W, 4 A, 750 hFE
ON Semiconductor(安森美)
塑料中功率NPN硅达林顿 Plastic Medium−Power Silicon NPN Darlingtons
Multicomp
MULTICOMP  BD679  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 80 V, 40 W, 4 A, 750 hFE
Magnatec
NPN 复合晶体管,STMicroelectronics 双极晶体管,STMicroelectronics STMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP 双极性晶体管,包括通用、达林顿、功率和高电压设备,采用表面安装和通孔封装。
Central Semiconductor
National Semiconductor(美国国家半导体)
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Samsung(三星)
TI(德州仪器)
Continental Device
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