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BD680G
0.1
BD680G 数据手册 (5 页)
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BD680G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-80.0 V
额定电流
-4.00 A
封装
TO-126-3
无卤素状态
Halogen Free
针脚数
3 Position
极性
PNP
功耗
40 W
击穿电压(集电极-发射极)
80 V
集电极最大允许电流
4A
最小电流放大倍数
750 @1.5A, 3V
最大电流放大倍数
750 @1.5A, 3V
额定功率(Max)
40 W
直流电流增益(hFE)
750
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
40000 mW

BD680G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Bulk
长度
7.74 mm
宽度
2.66 mm
高度
11.04 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

BD680G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.07 MByte
ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.23 MByte
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.03 MByte
ON Semiconductor(安森美)
4 页 / 0.07 MByte

BD680 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
PNP 复合晶体管,STMicroelectronics ### 双极晶体管,STMicroelectronicsSTMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP 双极性晶体管,包括通用、达林顿、功率和高电压设备,采用表面安装和通孔封装。
ON Semiconductor(安森美)
达林顿功率晶体管PNP硅 DARLINGTON POWER TRANSISTORS PNP SILICON
Multicomp
MULTICOMP  BD680  单晶体管 双极, 达林顿, PNP, -80 V, 40 W, -4 A, 750 hFE
Motorola(摩托罗拉)
Continental Device
Fairchild(飞兆/仙童)
Central Semiconductor
Stackpole Electronics
Samsung(三星)
Infineon(英飞凌)
PNP硅达林顿晶体管 PNP SILICON DARLINGTON TRANSISTORS
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