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BD743C
1.452
BD743C 数据手册 (6 页)
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BD743C 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
TO-220-3
极性
NPN
功耗
90000 mW
击穿电压(集电极-发射极)
100 V
集电极最大允许电流
15A
最小电流放大倍数
40
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
2 W

BD743C 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete

BD743C 数据手册

Bourns J.W. Miller(伯恩斯)
6 页 / 1.12 MByte
Bourns J.W. Miller(伯恩斯)
5 页 / 0.1 MByte

BD743 数据手册

Bourns J.W. Miller(伯恩斯)
NPN硅功率晶体管 NPN SILICON POWER TRANSISTORS
Bourns J.W. Miller(伯恩斯)
Bourns J.W. Miller(伯恩斯)
Bourns J.W. Miller(伯恩斯)
NPN硅功率晶体管 NPN SILICON POWER TRANSISTORS
Bourns J.W. Miller(伯恩斯)
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) POWER TRANSISTOR
Bourns J.W. Miller(伯恩斯)
Bourns J.W. Miller(伯恩斯)
NPN硅功率晶体管 NPN SILICON POWER TRANSISTORS
ST Microelectronics(意法半导体)
ST Microelectronics(意法半导体)
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