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BD746C
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BD746C 数据手册 (4 页)
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BD746C 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
SOT-93-3
极性
PNP
功耗
115000 mW
击穿电压(集电极-发射极)
100 V
集电极最大允许电流
20A
最小电流放大倍数
40
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
115000 mW

BD746C 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
工作温度
-65℃ ~ 150℃

BD746C 数据手册

Bourns J.W. Miller(伯恩斯)
4 页 / 0.1 MByte

BD746 数据手册

Bourns J.W. Miller(伯恩斯)
PNP硅功率晶体管 PNP SILICON POWER TRANSISTORS
Bourns J.W. Miller(伯恩斯)
PNP硅功率晶体管 PNP SILICON POWER TRANSISTORS
Bourns J.W. Miller(伯恩斯)
Bourns J.W. Miller(伯恩斯)
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 80V 20A PNP
Bourns J.W. Miller(伯恩斯)
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100V 40A PNP
Bourns J.W. Miller(伯恩斯)
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 80V 20A PNP
Bourns J.W. Miller(伯恩斯)
PNP硅功率晶体管 PNP SILICON POWER TRANSISTORS
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