￥ 1.039

BD809G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

双极性晶体管

封装:

TO-220-3

描述:

ON SEMICONDUCTOR BD809G. 双极性晶体管, NPN, 80V TO-220

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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BD809G 数据手册 (4 页)

封装尺寸在4 页

BD809G 数据手册 (4 页)

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BD809G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

频率

1.5 MHz

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

80.0 V

额定电流

10.0 A

封装

TO-220-3

针脚数

3 Position

极性

NPN

功耗

90 W

增益频宽积

1.5 MHz

集电极击穿电压

80.0 V

击穿电压(集电极-发射极)

80 V

集电极最大允许电流

10A

最小电流放大倍数

15 @4A, 2V

额定功率(Max)

90 W

直流电流增益(hFE)

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

90000 mW

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BD809G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

材质

Silicon

长度

10.28 mm

宽度

4.83 mm

高度

15.75 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

BD809G 符合标准

BD809G 海关信息

BD809G 概述

BD809G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

4 页 / 0.08 MByte

BD809G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

5 页 / 0.09 MByte

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