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BDP 947 E6327
0.886
BDP 947 E6327 数据手册 (8 页)
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BDP 947 E6327 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
4 Pin
额定电压(DC)
45.0 V
额定电流
3.00 A
封装
TO-261-4
极性
NPN
功耗
3000 mW
增益频宽积
100 MHz
击穿电压(集电极-发射极)
45 V
最小电流放大倍数
100 @500mA, 1V
额定功率(Max)
5 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
65 ℃

BDP 947 E6327 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.5 mm
宽度
3.5 mm
高度
1.6 mm

BDP 947 E6327 数据手册

Infineon(英飞凌)
8 页 / 0.51 MByte

BDP947 数据手册

Infineon(英飞凌)
硅NPN晶体管 Silicon NPN Transistor
Siemens Semiconductor(西门子)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
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