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BDP948H6327XTSA1
0.509
BDP948H6327XTSA1 数据手册 (8 页)
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BDP948H6327XTSA1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
100 MHz
引脚数
4 Pin
封装
SOT-223-4
极性
PNP
功耗
5 W
击穿电压(集电极-发射极)
45 V
集电极最大允许电流
3A
最小电流放大倍数
85 @500mA, 1V
额定功率(Max)
5 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
5000 mW

BDP948H6327XTSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not Recommended for New Designs
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
6.5 mm
宽度
3.5 mm
高度
1.5 mm
工作温度
150℃ (TJ)

BDP948H6327XTSA1 数据手册

Infineon(英飞凌)
8 页 / 0.51 MByte
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.36 MByte
Infineon(英飞凌)
34 页 / 0.2 MByte

BDP948H6327 数据手册

Infineon(英飞凌)
PNP 晶体管,Infineon### 双极晶体管,Infineon
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Infineon BDP948H6327XTSA1 , PNP 晶体管, 3 A, Vce=45 V, HFE:15, 3 + Tab引脚 SOT-223封装
Infineon(英飞凌)
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