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BDP950H6327XTSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

双极性晶体管

封装:

SOT-223-4

描述:

Infineon BDP950H6327XTSA1 , PNP 晶体管, 3 A, Vce=60 V, HFE:15, 3 + Tab引脚 SOT-223封装

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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BDP950H6327XTSA1 数据手册 (8 页)

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BDP950H6327XTSA1 数据手册 (8 页)

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BDP950H6327XTSA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

频率

100 MHz

引脚数

4 Pin

封装

SOT-223-4

极性

PNP

功耗

5 W

击穿电压(集电极-发射极)

60 V

集电极最大允许电流

最小电流放大倍数

85 @500mA, 1V

额定功率(Max)

5 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

5000 mW

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BDP950H6327XTSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended for New Designs

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

长度

6.5 mm

宽度

3.5 mm

高度

1.5 mm

工作温度

150℃ (TJ)

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BDP950H6327XTSA1 符合标准

BDP950H6327XTSA1 概述

BDP950H6327XTSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

8 页 / 0.51 MByte

BDP950H6327XTSA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

34 页 / 0.2 MByte

BDP950H6327 数据手册

BDP 950 H6327 数据手册

Infineon（英飞凌）

PNP 晶体管，Infineon### 双极晶体管，Infineon

BDP950H6327 数据手册

Infineon（英飞凌）

PNP 晶体管，Infineon### 双极晶体管，Infineon

BDP950H6327XTSA1 数据手册

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Infineon BDP950H6327XTSA1 , PNP 晶体管, 3 A, Vce=60 V, HFE:15, 3 + Tab引脚 SOT-223封装

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