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BDV65B 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

双极性晶体管

封装:

TO-218-3

描述:

DARLINGTONS 10安培互补硅功率晶体管 DARLINGTONS 10 AMPERES COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

BDV65B 数据手册 (7 页)

封装尺寸在6 页

BDV65B 数据手册 (7 页)

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BDV65B 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

额定电压(DC)

100 V

额定电流

10.0 A

封装

TO-218-3

极性

NPN

击穿电压(集电极-发射极)

100 V

集电极最大允许电流

10A

最小电流放大倍数

1000 @5A, 4V

额定功率(Max)

125 W

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BDV65B 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tube

工作温度

-65℃ ~ 150℃ (TJ)

最小包装数量

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BDV65B 符合标准

BDV65B 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

7 页 / 0.1 MByte

BDV65B 其他数据使用手册

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22 页 / 0.07 MByte

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