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BDX34D
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BDX34D 数据手册 (5 页)
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BDX34D 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-220-3
极性
PNP
击穿电压(集电极-发射极)
120 V
集电极最大允许电流
10A
最小电流放大倍数
750
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃

BDX34D 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
长度
10.4 mm
宽度
4.7 mm
高度
9.3 mm

BDX34D 数据手册

Bourns J.W. Miller(伯恩斯)
5 页 / 0.08 MByte
Bourns J.W. Miller(伯恩斯)
6 页 / 0.07 MByte

BDX34 数据手册

Bourns J.W. Miller(伯恩斯)
PNP硅功率DARLINGTONS PNP SILICON POWER DARLINGTONS
Fairchild(飞兆/仙童)
Power线性和开关应用 Power Linear and Switching Applications
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  BDX34C  单晶体管 双极, 达林顿, PNP, 100 V, 70 W, 10 A, 750 hFE
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  BDX34CG  单晶体管 双极, 达林顿, PNP, 100 V, 70 W, 10 A, 750 hFE
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  BDX34BG  单晶体管 双极, PNP, -80 V, 70 W, -10 A, 750 hFE 新
ON Semiconductor(安森美)
达林顿互补硅功率晶体管 Darlington Complementary Silicon Power Transistors
ON Semiconductor(安森美)
达林顿互补硅功率晶体管 DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
Fairchild(飞兆/仙童)
Power线性和开关应用 Power Linear and Switching Applications
Multicomp
MULTICOMP  BDX34B  单晶体管 双极, 达林顿, PNP, 80 V, 70 W, 10 A, 750 hFE
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