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BDX54C
1
BDX54C 数据手册 (4 页)
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BDX54C 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-100 V
额定电流
-8.00 A
封装
TO-220-3
针脚数
3 Position
极性
PNP
功耗
60 W
击穿电压(集电极-发射极)
100 V
最小电流放大倍数
750 @3A, 3V
额定功率(Max)
60 W
直流电流增益(hFE)
750
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
60000 mW

BDX54C 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Bulk
长度
10.1 mm
宽度
4.7 mm
高度
9.4 mm
工作温度
150℃ (TJ)

BDX54C 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
4 页 / 0.04 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
17 页 / 0.39 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.06 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
7 页 / 0.1 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
2 页 / 0.55 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.13 MByte

BDX54 数据手册

Bourns J.W. Miller(伯恩斯)
PNP硅功率DARLINGTONS PNP SILICON POWER DARLINGTONS
Fairchild(飞兆/仙童)
锤驱动器,音频放大器应用功率班轮和交换应用 Hammer Drivers, Audio Amplifiers Applications Power Liner and Switching Applications
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  BDX54CG  单晶体管 双极, 达林顿, PNP, 100 V, 65 W, 8 A, 750 hFE
ST Microelectronics(意法半导体)
PNP 复合晶体管,STMicroelectronics### 双极晶体管,STMicroelectronicsSTMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP 双极性晶体管,包括通用、达林顿、功率和高电压设备,采用表面安装和通孔封装。
ON Semiconductor(安森美)
塑料中功率互补硅晶体管 Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors
Fairchild(飞兆/仙童)
Darlington PNP 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  BDX54B  单晶体管 双极, 达林顿, PNP, 80 V, 60 W, 8 A, 750 hFE
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BDX54C  单晶体管 双极, PNP, -100 V, 60 W, -8 A, 750 hFE
ON Semiconductor(安森美)
塑料中功率互补硅晶体管 Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors
ST Microelectronics(意法半导体)
硅PNP功率达林顿晶体管 SILICON PNP POWER DARLINGTON TRANSISTOR
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