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BF545C,215
0.352
BF545C,215 数据手册 (15 页)
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BF545C,215 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电流
25 mA
封装
SOT-23-3
击穿电压
-30.0 V
针脚数
3 Position
极性
N-Channel
功耗
250 mW
漏源极电压(Vds)
30 V
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
额定电压
30 V

BF545C,215 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
3 mm
宽度
1.4 mm
高度
1 mm
工作温度
-65℃ ~ 150℃

BF545C,215 数据手册

NXP(恩智浦)
15 页 / 0.06 MByte
NXP(恩智浦)
110 页 / 2 MByte
NXP(恩智浦)
19 页 / 0.14 MByte
NXP(恩智浦)
1 页 / 0.13 MByte

BF545 数据手册

NXP(恩智浦)
N 通道 JFET,NXP### JFET 晶体管一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。
NXP(恩智浦)
NXP  BF545B  晶体管, JFET, JFET, 30 V, 6 mA, 15 mA, 7.5 V, SOT-23, JFET
NXP(恩智浦)
NXP  BF545C,215.  射频场效应管, JFET, N沟道, 30V, 25mA, 3-SOT-23
Nexperia(安世)
NXP(恩智浦)
BF545A N沟道MOSFET 30V 10mA SOT-23/SC-59 marking/标记 MG5 低噪声增益控制放大器
NXP(恩智浦)
BF545C N沟道MOSFET 30V 10mA SOT-23/SC-59 marking/标记 M67 低噪声增益控制放大器
NXP(恩智浦)
N 通道 JFET,NXP### JFET 晶体管一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。
Nexperia(安世)
Nexperia(安世)
Philips(飞利浦)
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