BF823 数据手册 - NXP（恩智浦）

●集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| −250V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| −250V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| −50mA 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 60MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 50 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| −800mV/-0.8V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 250mW/0.25W Description & Applications| PNP Silicon High-Voltage Transistor FEATURES • Low current (max. 50 mA) • High voltage (max. 300 V). APPLICATIONS • Telephony and professional communication equipment. 描述与应用| PNP硅高压晶体管 特点 •低电流（最大50毫安） •高电压（最大300 V）。 应用 •专业的电话和通信设备