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BF998E6327HTSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-253-4

描述:

INFINEON BF998E6327HTSA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 mA, 12 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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BF998E6327HTSA1 数据手册 (9 页)

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BF998E6327HTSA1 数据手册 (9 页)

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BF998E6327HTSA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

频率

45 MHz

引脚数

4 Pin

额定电压(DC)

12.0 V

额定电流

30.0 mA

封装

TO-253-4

针脚数

4 Position

极性

N-Channel

功耗

200 mW

漏源极电压(Vds)

12 V

连续漏极电流(Ids)

300 mA

增益

28 dB

测试电流

10 mA

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

200 mW

额定电压

12 V

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BF998E6327HTSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

长度

2.9 mm

宽度

1 mm

高度

1.3 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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BF998E6327HTSA1 符合标准

BF998E6327HTSA1 海关信息

BF998E6327HTSA1 概述

BF998E6327HTSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.08 MByte

BF998E6327HTSA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

3 页 / 0.36 MByte

BF998E6327HTSA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.08 MByte

BF998E6327HTSA1 产品修订记录

Infineon（英飞凌）

1 页 / 0.13 MByte

BF998E6327HTSA1 其他参考文件

Infineon（英飞凌）

1 页 / 0.15 MByte

BF998E6327 数据手册

Infineon（英飞凌）

N沟道 12V 30mA

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INFINEON BF 998 E6327 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 mA, 12 V

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