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BFG520W,115
0.138
BFG520W,115 数据手册 (15 页)
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BFG520W,115 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
9000 MHz
引脚数
4 Pin
封装
SOT-343
功耗
0.5 W
击穿电压(集电极-发射极)
15 V
最小电流放大倍数
60 @20mA, 6V
额定功率(Max)
500 mW
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
500 mW

BFG520W,115 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
高度
1 mm
工作温度
175℃ (TJ)

BFG520W,115 数据手册

NXP(恩智浦)
15 页 / 0.29 MByte

BFG520 数据手册

NXP(恩智浦)
NXP  BFG520  晶体管 双极-射频, NPN, 15 V, 9 GHz, 300 mW, 70 mA, 120 hFE
Philips(飞利浦)
NXP(恩智浦)
NXP(恩智浦)
NPN 晶体管,NXP### 双极性晶体管,NXP Semiconductors
NXP(恩智浦)
晶体管 双极-射频, NPN, 15 V, 9 GHz, 300 mW, 70 mA, 120 hFE
NXP(恩智浦)
NPN 9 GHz宽带晶体管 NPN 9 GHz wideband transistors
NXP(恩智浦)
NXP  BFG520W/X,115  射频晶体管, NPN
NXP(恩智浦)
NPN 9 GHz宽带晶体管 NPN 9 GHz wideband transistors
NXP(恩智浦)
NXP(恩智浦)
射频(RF)双极晶体管 Single NPN 15V 70mA 300mW 60 9GHz
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