Web Analytics
Datasheet 搜索 > 双极性晶体管 > NXP(恩智浦) > BFG520W/X,115 Datasheet 文档
BFG520W/X,115
0.225
BFG520W/X,115 数据手册 (16 页)
查看文档
或点击图片查看大图

BFG520W/X,115 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
9000 MHz
引脚数
4 Pin
封装
SOT-343
针脚数
4 Position
极性
NPN
功耗
500 mW
增益频宽积
9000 MHz
击穿电压(集电极-发射极)
15 V
增益
16dB ~ 17dB
最小电流放大倍数
60 @20mA, 6V
最大电流放大倍数
60
额定功率(Max)
500 mW
直流电流增益(hFE)
120
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
500 mW

BFG520W/X,115 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
2.2 mm
宽度
1.35 mm
高度
1 mm
工作温度
175℃ (TJ)

BFG520W/X,115 数据手册

NXP(恩智浦)
16 页 / 0.12 MByte
NXP(恩智浦)
26 页 / 0.29 MByte
NXP(恩智浦)
9 页 / 0.26 MByte
NXP(恩智浦)
1 页 / 0.13 MByte

BFG520 数据手册

NXP(恩智浦)
NXP  BFG520  晶体管 双极-射频, NPN, 15 V, 9 GHz, 300 mW, 70 mA, 120 hFE
Philips(飞利浦)
NXP(恩智浦)
NXP(恩智浦)
NPN 晶体管,NXP### 双极性晶体管,NXP Semiconductors
NXP(恩智浦)
晶体管 双极-射频, NPN, 15 V, 9 GHz, 300 mW, 70 mA, 120 hFE
NXP(恩智浦)
NPN 9 GHz宽带晶体管 NPN 9 GHz wideband transistors
NXP(恩智浦)
NXP  BFG520W/X,115  射频晶体管, NPN
NXP(恩智浦)
NPN 9 GHz宽带晶体管 NPN 9 GHz wideband transistors
NXP(恩智浦)
NXP(恩智浦)
射频(RF)双极晶体管 Single NPN 15V 70mA 300mW 60 9GHz
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

关联文档: BFG520 数据手册
BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z