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BFP 420F E6327
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BFP 420F E6327 数据手册 (30 页)
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BFP 420F E6327 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
额定电压(DC)
4.50 V
额定电流
35.0 mA
封装
SMD-4
功耗
160 mW
增益频宽积
25000 MHz
击穿电压(集电极-发射极)
5 V
增益
19.5 dB
最小电流放大倍数
60 @5mA, 4V
最大电流放大倍数
60 @5mA, 4V
额定功率(Max)
160 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
65 ℃

BFP 420F E6327 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Cut Tape (CT)
长度
1.4 mm
宽度
0.8 mm
高度
0.55 mm
工作温度
150℃ (TJ)

BFP 420F E6327 数据手册

Infineon(英飞凌)
30 页 / 1.5 MByte
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.36 MByte
Infineon(英飞凌)
1 页 / 0.02 MByte

BFP420 数据手册

Infineon(英飞凌)
NPN硅晶体管RF NPN Silicon RF Transistor
Siemens Semiconductor(西门子)
BFP420 NPN三极管 10V 35mA 25GHz 60~130 SOT-343 marking/标记 AM 高增益低噪声放大器
Sanyo Semiconductor(三洋)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BFP420H6327  射频晶体管, NPN, 25GHZ, 4.5V, SOT-343
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BFP420H6327XTSA1  射频晶体管, NPN, 25GHZ, 4.5V, SOT-343
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BFP420FH6327XTSA1  晶体管 双极-射频, NPN, 4.5 V, 25 GHz, 210 mW, 60 mA, 60 hFE
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BFP 420 H6327  晶体管 双极-射频, NPN, 4.5 V, 25 GHz, 160 mW, 35 mA, 95 hFE
Infineon(英飞凌)
NPN硅晶体管RF NPN Silicon RF Transistor
Infineon(英飞凌)
NPN硅晶体管RF NPN Silicon RF Transistor
Infineon(英飞凌)
晶体管 双极-射频, NPN, 5 V, 25 GHz, 210 mW, 60 mA, 60 hFE
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