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BFP650H6327XTSA1
0.171
BFP650H6327XTSA1 数据手册 (29 页)
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BFP650H6327XTSA1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
4 Pin
封装
SOT-343-4
针脚数
4 Position
极性
NPN
功耗
500 mW
输入电容
1.3 pF
击穿电压(集电极-发射极)
4.5 V
增益
10.5dB ~ 21.5dB
最小电流放大倍数
110 @80mA, 3V
额定功率(Max)
500 mW
直流电流增益(hFE)
100
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
500 mW

BFP650H6327XTSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2 mm
宽度
1.25 mm
高度
0.9 mm
工作温度
150℃ (TJ)

BFP650H6327XTSA1 数据手册

Infineon(英飞凌)
29 页 / 1.47 MByte
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.36 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 1.1 MByte
Infineon(英飞凌)
21 页 / 0.73 MByte
Infineon(英飞凌)
1 页 / 0.13 MByte

BFP650H6327 数据手册

Infineon(英飞凌)
高线性度的硅锗双极RF晶体管 High Linearity Silicon Germanium Bipolar RF Transistor
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BFP 650 H6327  晶体管 双极-射频, NPN, 4.5 V, 42 GHz, 500 mW, 150 mA, 100 hFE
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BFP650H6327XTSA1  晶体管 双极-射频, NPN, 4.5 V, 42 GHz, 500 mW, 150 mA, 100 hFE
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