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BFP740ESDH6327
0.177
BFP740ESDH6327 数据手册 (28 页)
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BFP740ESDH6327 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
4 Pin
封装
SOT-343-3
极性
NPN
最小电流放大倍数
160
工作温度(Max)
150 ℃
耗散功率(Max)
160 mW

BFP740ESDH6327 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2 mm
宽度
1.25 mm
高度
0.9 mm

BFP740ESDH6327 数据手册

Infineon(英飞凌)
28 页 / 1.51 MByte

BFP740 数据手册

Infineon(英飞凌)
NPN硅锗RF晶体管 NPN Silicon Germanium RF Transistor
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BFP740H6327XTSA1  射频晶体管, NPN, 42GHZ, 4.7V, SOT-343
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BFP740FH6327XTSA1  射频晶体管, NPN, 42GHZ, 4.7V, SOT-343
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BFP740FESDH6327XTSA1  晶体管 双极-射频, NPN, 4.2 V, 47 GHz, 160 mW, 45 mA, 160 hFE
Infineon(英飞凌)
SiGe 射频双极晶体管,Infineon来自 Infineon 的一系列超低噪声宽带 NPN 双极射频晶体管。 这些异质结双极性设备采用 Infineon 的硅锗:碳 (SiGe:C) 材料技术,特别适用于低功耗为关键要求的移动应用。 借助典型的高达 65 GHz 传输频率,这些设备用于放大器时可提供高达 10GHz 频率的高功率增益。 晶体管包括用于 ESD 的内部电路和过度射频输入电源保护。### 双极晶体管,Infineon
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BFP740ESDH6327XTSA1  晶体管 双极-射频, NPN, 4.7 V, 45 GHz, 160 mW, 45 mA, 160 hFE
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BFP 740 H6327  射频晶体管, NPN, 42GHZ, 4.7V, SOT-343
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BFP 740F H6327  射频晶体管, NPN, 42GHZ, 4.7V, SOT-343
Infineon(英飞凌)
NPN硅锗RF晶体管 NPN Silicon Germanium RF Transistor
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